４月２０日，研究人员在展示我国第一款具有自主知识产权的相变存储器（ＰＣＲＡＭ）芯片。我国第一款具有自主知识产权的相变存储器（ＰＣＲＡＭ）芯片研制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。据介绍，该款ＰＣＲＡＭ试验芯片存储容量为８Ｍｂ，在８英寸硅片上的每一块存储芯片，存储单元成品率达９９％以上。截至２０１０年底，该款ＰＣＲＡＭ相变存储器已经获得５０多项发明专利授权，１５０多项专利公开，相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。新华社记者 刘颖 摄
４月２０日，在中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究人员在相变存储器芯片进行语音功能演示。新华社记者 刘颖 摄
４月２０日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、ＰＣＲＡＭ研究项目负责人宋志棠（左）与研究人员在实验室内工作。新华社记者 刘颖 摄
